IPD60R650CEBTMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | IPD60R650CEBTMA1 |
描述: | MOSFET N-CH 600V 7A TO252 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | CoolMOS™ CE |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
功耗(Max) | 82W (Tc) |
供应商设备包 | PG-TO252-3 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 20.5nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
现货库存 88 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1