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IPD65R650CEATMA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | IPD65R650CEATMA1 |
| 描述: | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vg (Max) | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | Super Junction |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| 功耗(Max) | 86W (Tc) |
| 供应商设备包 | PG-TO252-3 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 23nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 10.1A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
现货库存 76 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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