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IPD65R650CEATMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPD65R650CEATMA1
描述:	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	CoolMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Super Junction
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 0.21mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
功耗(Max)	86W (Tc)
供应商设备包	PG-TO252-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	23nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10.1A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V