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IPDD60R080G7XTMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPDD60R080G7XTMA1
描述: MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™ G7
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 10-PowerSOP Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 80mOhm @ 9.7A, 10V
功耗(Max) 174W (Tc)
供应商设备包 PG-HDSOP-10-1
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 29A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 2146 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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