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IPG20N06S4L26ATMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	IPG20N06S4L26ATMA1
描述:	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	33W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	26mOhm @ 17A, 10V
供应商设备包	PG-TDSON-8-4
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	20nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1430pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	20A