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IPI041N12N3GAKSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPI041N12N3GAKSA1
描述:	MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	4.1mOhm @ 100A, 10V
功耗(Max)	300W (Tc)
供应商设备包	PG-TO262-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	211nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	120V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	120A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V