图片仅供参考,请参阅产品说明书

IPI057N08N3 G

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPI057N08N3 G
描述: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 OptiMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 5.7mOhm @ 80A, 10V
功耗(Max) 150W (Tc)
供应商设备包 PG-TO262-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 69nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 80A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6V, 10V

现货库存 80 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IPI04CN10N G
Infineon Technologies
$0
IPI040N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI037N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI037N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI032N06N3 G
Infineon Technologies
$0