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IPI100N06S3L04XK

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPI100N06S3L04XK
描述:	MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±16V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 150µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.8mOhm @ 80A, 10V
功耗(Max)	214W (Tc)
供应商设备包	PG-TO262-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	362nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	17270pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	100A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V, 10V