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IPI60R190C6XKSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPI60R190C6XKSA1
描述: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Not For New Designs
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 630µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
功耗(Max) 151W (Tc)
供应商设备包 PG-TO262-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 63nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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