Image is for reference only , details as Specifications

IPT60R125G7XTMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPT60R125G7XTMA1
描述:	MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	CoolMOS™ G7
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 320µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	125mOhm @ 6.4A, 10V
功耗(Max)	120W (Tc)
供应商设备包	PG-HSOF-8-2
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	27nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	20A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V