图片仅供参考,请参阅产品说明书

IPW65R190CFDFKSA2

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPW65R190CFDFKSA2
描述: HIGH POWER_LEGACY
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™ CFD2
场效应晶体管类型 N-Channel
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 700µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
功耗(Max) 151W (Tc)
供应商设备包 PG-TO247-3-41
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 68nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 17.5A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 98 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.47 $2.42 $2.37
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FDP047AN08A0-F102
ON Semiconductor
$2.46
SIHF22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
$2.46
SPA15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
$2.46
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay / Siliconix
$2.46
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
$2.45