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IRF1018ESPBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF1018ESPBF
描述:	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Discontinued at Digi-Key
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	8.4mOhm @ 47A, 10V
功耗(Max)	110W (Tc)
供应商设备包	D2PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	69nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 50V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	79A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V