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IRF1902GPBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF1902GPBF
描述:	MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	85mOhm @ 4A, 4.5V
功耗(Max)	-
供应商设备包	8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	7.5nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	4.2A (Ta)