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IRF5801TRPBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF5801TRPBF
描述: MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 2.2Ohm @ 360mA, 10V
功耗(Max) 2W (Ta)
供应商设备包 Micro6™(TSOP-6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 3.9nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 600mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 4268 pcs

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