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IRF5803D2
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | IRF5803D2 |
| 描述: | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | FETKY™ |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 包装 | Tube |
| vg (Max) | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | Schottky Diode (Isolated) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| 功耗(Max) | 2W (Ta) |
| 供应商设备包 | 8-SO |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 37nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 4.5V, 10V |
