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IRF6602

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF6602
描述:	MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	DirectFET™ Isometric MQ
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	13mOhm @ 11A, 10V
功耗(Max)	2.3W (Ta), 42W (Tc)
供应商设备包	DIRECTFET™ MQ
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	18nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	11A (Ta), 48A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V