Image is for reference only , details as Specifications

IRF6609TR1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF6609TR1
描述: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 2mOhm @ 31A, 10V
功耗(Max) 1.8W (Ta), 89W (Tc)
供应商设备包 DIRECTFET™ MT
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 69nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6290pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 31A (Ta), 150A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 68 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IRF540ZSTRR
Infineon Technologies
$0
IRF540ZSTRL
Infineon Technologies
$0
IRF3711ZSTRR
Infineon Technologies
$0
IRF3711ZSTRL
Infineon Technologies
$0
IRF3711ZCSTRR
Infineon Technologies
$0