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IRF6616TR1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF6616TR1
描述: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
功耗(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
供应商设备包 DIRECTFET™ MX
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 44nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3765pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 19A (Ta), 106A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

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