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IRF6618TR1PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF6618TR1PBF
描述: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
功耗(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
供应商设备包 DIRECTFET™ MT
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 65nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 5640pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 30A (Ta), 170A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 98 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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