图片仅供参考，请参阅产品说明书
IRF6665TR1PBF
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | IRF6665TR1PBF |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | HEXFET® |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vg (Max) | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | DirectFET™ Isometric SH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| 功耗(Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| 供应商设备包 | DIRECTFET™ SH |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
现货库存 72 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
