图片仅供参考,请参阅产品说明书

IRF6665TR1PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF6665TR1PBF
描述: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 DirectFET™ Isometric SH
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V
功耗(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
供应商设备包 DIRECTFET™ SH
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 13nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.2A (Ta), 19A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 72 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IRF6662TR1PBF
Infineon Technologies
$0
IRF6648TR1PBF
Infineon Technologies
$0
IRF6646TR1PBF
Infineon Technologies
$0
IRF6645TR1PBF
Infineon Technologies
$0
IRF6638TR1PBF
Infineon Technologies
$0