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IRF6718L2TR1PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF6718L2TR1PBF
描述: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 DirectFET™ Isometric L6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 0.7mOhm @ 61A, 10V
功耗(Max) 4.3W (Ta), 83W (Tc)
供应商设备包 DIRECTFET L6
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 96nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 13V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 61A (Ta), 270A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 82 pcs

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