图片仅供参考，请参阅产品说明书

IRF6892STR1PBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF6892STR1PBF
描述:	MOSFET N-CH 25V 28A S3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±16V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	DirectFET™ Isometric S3C
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 50µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.7mOhm @ 28A, 10V
功耗(Max)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
供应商设备包	DIRECTFET™ S3C
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	25nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2510pF @ 13V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	28A (Ta), 125A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V