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IRF7341GTRPBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	IRF7341GTRPBF
描述:	MOSFET N-CH 55V 5.1A
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	2.4W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V
供应商设备包	8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	44nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	5.1A