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IRF7807VD2PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF7807VD2PBF
描述: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 FETKY™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 Schottky Diode (Isolated)
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
功耗(Max) 2.5W (Ta)
供应商设备包 8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 14nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V

现货库存 67 pcs

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