IRF8513PBF
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | IRF8513PBF |
描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Tube |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 1.5W, 2.4W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
基础零件号 | IRF8513PBF |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8A, 10V |
供应商设备包 | 8-SO |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 766pF @ 15V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 8A, 11A |
现货库存 72 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1