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IRF9Z24NLPBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRF9Z24NLPBF
描述: MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 175mOhm @ 7.2A, 10V
功耗(Max) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
供应商设备包 TO-262
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 12A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 86 pcs

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