Image is for reference only , details as Specifications

IRF9Z24NLPBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF9Z24NLPBF
描述:	MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	175mOhm @ 7.2A, 10V
功耗(Max)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
供应商设备包	TO-262
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	19nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	12A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V