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IRFB17N20D

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRFB17N20D
描述: MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 170mOhm @ 9.8A, 10V
功耗(Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
供应商设备包 TO-220AB
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 50nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 16A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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