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IRFH5106TR2PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRFH5106TR2PBF
描述: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 5.6mOhm @ 50A, 10V
功耗(Max) 3.6W (Ta), 114W (Tc)
供应商设备包 8-PQFN (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 75nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 21A (Ta), 100A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 65 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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