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IRFH5110TRPBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRFH5110TRPBF
描述:	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	12.4mOhm @ 37A, 10V
功耗(Max)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
供应商设备包	8-PQFN (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	72nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3152pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	11A (Ta), 63A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V