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IRFH8325TR2PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRFH8325TR2PBF
描述: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
功耗(Max) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
供应商设备包 PQFN (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 32nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2487pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 21A (Ta), 82A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

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