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IRFHM831TR2PBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRFHM831TR2PBF
描述:	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	7.8mOhm @ 12A, 10V
功耗(Max)	2.5W (Ta), 27W (Tc)
供应商设备包	PQFN (3x3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	16nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	14A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V