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IRFHM8363TR2PBF

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	IRFHM8363TR2PBF
描述:	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	HEXFET®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Obsolete
权力——马克思	2.7W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
基础零件号	IRFHM8363PBF
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	14.9mOhm @ 10A, 10V
供应商设备包	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	15nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	11A