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IRFHM8363TR2PBF
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | IRFHM8363TR2PBF |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | HEXFET® |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 2.7W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-PowerVDFN |
| 基础零件号 | IRFHM8363PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| 供应商设备包 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 15nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 11A |
现货库存 54 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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