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IRFU9N20D
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | IRFU9N20D |
| 描述: | MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | HEXFET® |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vg (Max) | ±30V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| 功耗(Max) | 86W (Tc) |
| 供应商设备包 | IPAK (TO-251) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 27nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
