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IRFU9N20D

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRFU9N20D
描述: MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
功耗(Max) 86W (Tc)
供应商设备包 IPAK (TO-251)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 27nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 82 pcs

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