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IRG8CH37K10F
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | IRG8CH37K10F |
| 描述: | IGBT 1200V 100A DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 210nC |
| 部分状态 | Active |
| 测试条件 | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | 35ns/190ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 59 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.67 | $3.60 | $3.52 |
最低数量: 1
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