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IRL6372PBF
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | IRL6372PBF |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | HEXFET® |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tube |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
| 部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
| 权力——马克思 | 2W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 基础零件号 | IRL6372PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| 供应商设备包 | 8-SO |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 8.1A |
现货库存 82 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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