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IRLR4343PBF

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRLR4343PBF
描述: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
功耗(Max) 79W (Tc)
供应商设备包 D-Pak
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 50V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 26A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 50 pcs

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