Image is for reference only , details as Specifications

ISS55EP06LMXTSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	ISS55EP06LMXTSA1
描述:	MOSFET P-CH 60V SOT23-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	P-Channel
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	5.5Ohm @ 180mA, 10V
功耗(Max)	400mW (Ta)
供应商设备包	PG-SOT23-3-5
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	590pC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	18pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	180mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V