图片仅供参考,请参阅产品说明书

SIGC109T120R3LEX1SA2

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: SIGC109T120R3LEX1SA2
描述: IGBT 1200V 100A DIE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Bulk
输入类型 Standard
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
测试条件 -
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C -
供应商设备包 Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
集电极脉冲电流(Icm) 300A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 92 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$18.78 $18.40 $18.04
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IXXK200N60C3
IXYS
$18.32
IXXK200N60B3
IXYS
$18.32
IXGK82N120B3
IXYS
$18.17
IXGK82N120A3
IXYS
$18.17
IXYX50N170C
IXYS
$18.03