Image is for reference only , details as Specifications

SPB02N60C3ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SPB02N60C3ATMA1
描述: MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 80µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
功耗(Max) 25W (Tc)
供应商设备包 PG-TO263-3-2
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12.5nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 81 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IPF05N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD13N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD09N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPB09N03LA
Infineon Technologies
$0