Image is for reference only , details as Specifications

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
说明书: EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
描述: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 SDRAM - Mobile LPDDR2
内存大小 1Gb (64M x 16)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 134-VFBGA
时钟频率 533MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 1.14V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 125°C (TC)
供应商设备包 134-VFBGA (10x11.5)
写周期时间-字,页 -

现货库存 93 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
$0
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR
Micron Technology Inc.
$0
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR
Micron Technology Inc.
$0
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
$0
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
$0