图片仅供参考,请参阅产品说明书

MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
说明书: MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
描述: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 FLASH - NAND
内存大小 4Gb (512M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 63-VFBGA
基础零件号 MT29F4G08
内存接口 Parallel
电压-供应 2.7V ~ 3.6V
工作温度 0°C ~ 70°C (TA)
供应商设备包 63-VFBGA (9x11)
写周期时间-字,页 -

现货库存 83 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MT41K256M16HA-125:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K256M16HA-125 M:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT42L256M32D2LG-25 WT:A TR
Micron Technology Inc.
$0
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR
Micron Technology Inc.
$0