图片仅供参考,请参阅产品说明书

MT41J512M4HX-15E:D

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
说明书: MT41J512M4HX-15E:D
描述: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 SDRAM - DDR3
访问时间 13.5ns
内存大小 2Gb (512M x 4)
内存类型 Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 78-TFBGA
时钟频率 667MHz
基础零件号 MT41J512M4
内存接口 Parallel
电压-供应 1.425V ~ 1.575V
工作温度 0°C ~ 95°C (TC)
供应商设备包 78-FBGA (9x11.5)
写周期时间-字,页 -

现货库存 81 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MT41J512M4HX-125:D
Micron Technology Inc.
$0
MT41J256M8HX-187E:D
Micron Technology Inc.
$0
MT41J256M4JP-15E:G
Micron Technology Inc.
$0
MT41J256M4JP-125:G
Micron Technology Inc.
$0
MT41J1G4THD-15E:D
Micron Technology Inc.
$0