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MT41K512M8V00HWC1
| 制造商: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 说明书: | MT41K512M8V00HWC1 |
| 描述: | IC DRAM 4G PARALLEL DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | - |
| 包装 | - |
| 技术 | SDRAM - DDR3L |
| 内存大小 | 4Gb (512M x 8) |
| 内存类型 | Volatile |
| 部分状态 | Active |
| 内存格式 | DRAM |
| 安装方式 | - |
| 包/箱 | - |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 1.283V ~ 1.45V |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 供应商设备包 | - |
| 写周期时间-字，页 | - |
现货库存 87 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.73 | $10.52 | $10.31 |
最低数量: 1
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