Image is for reference only , details as Specifications

MT46V128M4FN-6:D TR

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
说明书: MT46V128M4FN-6:D TR
描述: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Cut Tape (CT)
技术 SDRAM - DDR
访问时间 700ps
内存大小 512Mb (128M x 4)
内存类型 Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 60-TFBGA
时钟频率 167MHz
基础零件号 MT46V128M4
内存接口 Parallel
电压-供应 2.3V ~ 2.7V
工作温度 0°C ~ 70°C (TA)
供应商设备包 60-FBGA (10x12.5)
写周期时间-字,页 15ns

现货库存 27 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$43.04 $42.18 $41.34
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

R1WV6416RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America
$43.04
CY7C1165KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp
$41.91
CY7C1148KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp
$41.91
CY7C026AV-25AXC
Cypress Semiconductor Corp
$38.93
CY7C1383KVE33-133AXI
Cypress Semiconductor Corp
$38.56