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MT47H512M4THN-25E:M TR

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
说明书: MT47H512M4THN-25E:M TR
描述: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 SDRAM - DDR2
访问时间 400ps
内存大小 2Gb (512M x 4)
内存类型 Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 63-TFBGA
时钟频率 400MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 85°C (TC)
供应商设备包 63-FBGA (8x10)
写周期时间-字,页 15ns

现货库存 71 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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