图片仅供参考，请参阅产品说明书
NAND04GR3B2DN6E
| 制造商: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 说明书: | NAND04GR3B2DN6E |
| 描述: | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | - |
| 包装 | Tray |
| 技术 | FLASH - NAND |
| 访问时间 | 25ns |
| 内存大小 | 4Gb (512M x 8) |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
| 内存格式 | FLASH |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 基础零件号 | NAND04G |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 供应商设备包 | 48-TSOP |
| 写周期时间-字，页 | 25ns |
现货库存 51 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
