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CSD13306WT

制造商:	NA
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	CSD13306WT
描述:	MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NA
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	NexFET™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±10V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(Max)	1.9W (Ta)
供应商设备包	6-DSBGA (1x1.5)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	11.2nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 6V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	2.5V, 4.5V