CSD23201W10
制造商: | NA |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | CSD23201W10 |
描述: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | NA |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | NexFET™ |
场效应晶体管类型 | P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vg (Max) | -6V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 4-UFBGA, DSBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 82mOhm @ 500mA, 4.5V |
功耗(Max) | 1W (Ta) |
供应商设备包 | 4-DSBGA (1x1) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 1.5V, 4.5V |