Image is for reference only , details as Specifications
CSD85312Q3E
| 制造商: | NA |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | CSD85312Q3E |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NA |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | NexFET™ |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 2.5W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| 供应商设备包 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 39A |
