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CSD86330Q3D

制造商:	NA
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	CSD86330Q3D
描述:	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NA
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	NexFET™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Half Bridge)
包装	Cut Tape (CT)
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	6W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerLDFN
基础零件号	CSD86330
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	9.6mOhm @ 14A, 8V
供应商设备包	8-LSON (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	6.2nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 12.5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	20A