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CSD86356Q5DT

制造商:	NA
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	CSD86356Q5DT
描述:	SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	NA
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	NexFET™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Half Bridge)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate, 5V Drive
部分状态	Active
权力——马克思	12W (Ta)
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
供应商设备包	8-VSON-CLIP (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	40A (Ta)