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CSD86356Q5DT

制造商: NA
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: CSD86356Q5DT
描述: SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NA
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 NexFET™
场效应晶体管类型 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate, 5V Drive
部分状态 Active
权力——马克思 12W (Ta)
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
供应商设备包 8-VSON-CLIP (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 40A (Ta)

现货库存 500 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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